APTM100VDA35T3G | Microsemi APTM100VDA35T3G | APTM100VDA35T3G Inventory, Best Pricing

APTM100VDA35T3G

Увеличить

Только для справки

номер части	APTM100VDA35T3G
LIXINC Part #	APTM100VDA35T3G
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	APTM100VDA35T3G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

APTM100VDA35T3G Технические характеристики

номер части:	APTM100VDA35T3G
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Microsemi
ряд:	POWER MOS 7®
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Standard
напряжение сток-исток (vdss):	1000V (1kV)
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	22A
rds on (max) @ id, vgs:	420mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 2.5mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	186nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	5200pF @ 25V
мощность - макс.:	390W
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	SP3
пакет устройств поставщика:	SP3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015