NTMFD024N06CT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTMFD024N06CT1G

NTMFD024N06CT1G

Увеличить

Только для справки

номер части	NTMFD024N06CT1G
LIXINC Part #	NTMFD024N06CT1G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET N-CH 60V T6 8DFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NTMFD024N06CT1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NTMFD024N06CT1G Технические характеристики

номер части:	NTMFD024N06CT1G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Standard
напряжение сток-исток (vdss):	60V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	8A (Ta), 24A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	22.6mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 20µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	5.7nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	333pF @ 30V
мощность - макс.:	3.1W (Ta), 28W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN
пакет устройств поставщика:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

MHT1000HR5178	N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE RF PO	959 Подробнее о заказе
DMT47M2LDV-13	MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333	3952 Подробнее о заказе
HUF76131SK8T_NB82084	10A, 30V, 0.017OHM, N CHANNEL ,	822 Подробнее о заказе
FS5AS-06-T13#B21	HIGH SPEED SWITCHING N CHANNEL ,	63821 Подробнее о заказе
FS70KMJ-2#B00	70A, 100V, N-CHANNEL MOSFET	2467 Подробнее о заказе
PSMN4R2-40VSHX	PSMN4R2-40VSH - DUAL N-CHANNEL 4	824 Подробнее о заказе
VEC2616-TL-H-Z-W	PCH+NCH 4V DRIVE SERIES	959 Подробнее о заказе
DMC3016LNS-7	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333	2857 Подробнее о заказе
DMN3012LDG-13	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333	854 Подробнее о заказе
RJK0230DPA-00#J5A	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	213811 Подробнее о заказе
2SJ655-MG5-SY	GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE	18614 Подробнее о заказе
2SJ325-Z-E1-AZ	P-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET	2893 Подробнее о заказе
DMC3060LVT-7	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26	862 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.29304	$0.29304

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015