IRF7555TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF7555TRPBF | IRF7555TRPBF Inventory, Best Pricing

IRF7555TRPBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRF7555TRPBF
LIXINC Part #	IRF7555TRPBF
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRF7555TRPBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRF7555TRPBF Технические характеристики

номер части:	IRF7555TRPBF
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	HEXFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 P-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	20V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	4.3A
rds on (max) @ id, vgs:	55mOhm @ 4.3A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	15nC @ 5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1066pF @ 10V
мощность - макс.:	1.25W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
пакет устройств поставщика:	Micro8™

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015