PHKD6N02LT,518 | Nexperia PHKD6N02LT,518 | PHKD6N02LT,518 Inventory, Best Pricing

PHKD6N02LT,518

Увеличить

Только для справки

номер части	PHKD6N02LT,518
LIXINC Part #	PHKD6N02LT,518
Производитель	Nexperia
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	PHKD6N02LT,518 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	May 16 - May 20 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

PHKD6N02LT,518 Технические характеристики

номер части:	PHKD6N02LT,518
Бренд:	Nexperia
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Nexperia
ряд:	TrenchMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	20V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	10.9A
rds on (max) @ id, vgs:	20mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	15.3nC @ 5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	950pF @ 10V
мощность - макс.:	4.17W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
пакет устройств поставщика:	8-SO

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015