IRF5852TR | IR (Infineon Technologies) IRF5852TR | IRF5852TR Inventory, Best Pricing

IRF5852TR

Увеличить

Только для справки

номер части	IRF5852TR
LIXINC Part #	IRF5852TR
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRF5852TR След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRF5852TR Технические характеристики

номер части:	IRF5852TR
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	HEXFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	20V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	2.7A
rds on (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.7A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.25V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	6nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	400pF @ 15V
мощность - макс.:	960mW
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
пакет устройств поставщика:	6-TSOP

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015