EPC2106ENGRT | EPC EPC2106ENGRT | EPC2106ENGRT Inventory, Best Pricing

EPC2106ENGRT

Увеличить

Только для справки

номер части	EPC2106ENGRT
LIXINC Part #	EPC2106ENGRT
Производитель	EPC
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	EPC2106ENGRT След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

EPC2106ENGRT Технические характеристики

номер части:	EPC2106ENGRT
Бренд:	EPC
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	EPC
ряд:	eGaN®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Discontinued at Digi-Key
тип фета:	2 N-Channel (Half Bridge)
Фет-функция:	GaNFET (Gallium Nitride)
напряжение сток-исток (vdss):	100V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1.7A
rds on (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 2A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 600µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	0.73nC @ 5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	75pF @ 50V
мощность - макс.:	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	Die
пакет устройств поставщика:	Die

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015