SSM6N48FU,RF(D | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6N48FU,RF(D

SSM6N48FU,RF(D

Увеличить

Только для справки

номер части	SSM6N48FU,RF(D
LIXINC Part #	SSM6N48FU,RF(D
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SSM6N48FU,RF(D След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SSM6N48FU,RF(D Технические характеристики

номер части:	SSM6N48FU,RF(D
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate, 2.5V Drive
напряжение сток-исток (vdss):	30V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	100mA (Ta)
rds on (max) @ id, vgs:	3.2Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 100µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	15.1pF @ 3V
мощность - макс.:	300mW
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
пакет устройств поставщика:	US6

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015