Только для справки
| номер части | FDMS9600S |
| LIXINC Part # | FDMS9600S |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы |
| Описание | MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDMS9600S След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDMS9600S |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | 2 N-Channel (Dual) |
| Фет-функция: | Logic Level Gate |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 12A, 16A |
| rds on (max) @ id, vgs: | 8.5mOhm @ 12A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 13nC @ 4.5V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1705pF @ 15V |
| мощность - макс.: | 1W |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| упаковка / чехол: | 8-PowerWDFN |
| пакет устройств поставщика: | 8-MLP (5x6), Power56 |
| QS6J3TR | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 | 801 Подробнее о заказе |
|
| SI4922BDY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | 2359 Подробнее о заказе |
|
| NVMFD5875NLT3G | MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL | 916 Подробнее о заказе |
|
| SQJ500AEP-T1_BE3 | MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL | 3855 Подробнее о заказе |
|
| EM6J1T2R | MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6 | 896 Подробнее о заказе |
|
| DMC2700UDM-7 | MOSFET N/P-CH 20V SOT26 | 310621 Подробнее о заказе |
|
| IPA126N10N3G | 35A, 100V, 0.0126OHM, N-CHANNEL | 2400 Подробнее о заказе |
|
| SIS932EDN-T1-GE3 | MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8 | 10840 Подробнее о заказе |
|
| TC2320TG-G | MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC | 3847 Подробнее о заказе |
|
| EM6M1T2R | MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 | 30934 Подробнее о заказе |
|
| FDZ1905PZ | MOSFET 2P-CH 6WLCSP | 850 Подробнее о заказе |
|
| QS6K1TR | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 | 10993 Подробнее о заказе |
|
| BSZ0909NDXTMA1 | MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8 | 1307 Подробнее о заказе |
| В наличии | 13625 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.46000 | $2.46 |
| 3000 | $1.42625 | $4278.75 |
| 6000 | $1.37343 | $8240.58 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.