BSM080D12P2C008 | ROHM Semiconductor BSM080D12P2C008 | BSM080D12P2C008 Inventory, Best Pricing

BSM080D12P2C008

Увеличить

Только для справки

номер части	BSM080D12P2C008
LIXINC Part #	BSM080D12P2C008
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	SIC POWER MODULE-1200V-80A
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSM080D12P2C008 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSM080D12P2C008 Технические характеристики

номер части:	BSM080D12P2C008
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Silicon Carbide (SiC)
напряжение сток-исток (vdss):	1200V (1.2kV)
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	80A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 13.2mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	800pF @ 10V
мощность - макс.:	600W
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$319.84000	$319.84
12	$315.33064	$3783.96768

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015