CSD85312Q3E | Texas Instruments CSD85312Q3E | CSD85312Q3E Inventory, Best Pricing

CSD85312Q3E

Увеличить

Только для справки

номер части	CSD85312Q3E
LIXINC Part #	CSD85312Q3E
Производитель	Texas Instruments
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CSD85312Q3E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CSD85312Q3E Технические характеристики

номер части:	CSD85312Q3E
Бренд:	Texas Instruments
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Texas Instruments
ряд:	NexFET™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual) Common Source
Фет-функция:	Logic Level Gate, 5V Drive
напряжение сток-исток (vdss):	20V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	39A
rds on (max) @ id, vgs:	12.4mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	15.2nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2390pF @ 10V
мощность - макс.:	2.5W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-PowerVDFN
пакет устройств поставщика:	8-VSON (3.3x3.3)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.99000	$0.99
2500	$0.39829	$995.725

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015