CSD87503Q3E | Texas Instruments CSD87503Q3E | CSD87503Q3E Inventory, Best Pricing

CSD87503Q3E

Увеличить

Только для справки

номер части	CSD87503Q3E
LIXINC Part #	CSD87503Q3E
Производитель	Texas Instruments
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CSD87503Q3E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CSD87503Q3E Технические характеристики

номер части:	CSD87503Q3E
Бренд:	Texas Instruments
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Texas Instruments
ряд:	NexFET™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual) Common Source
Фет-функция:	Standard
напряжение сток-исток (vdss):	30V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	10A (Ta)
rds on (max) @ id, vgs:	13.5mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	17.4nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1020pF @ 15V
мощность - макс.:	15.6W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-PowerVDFN
пакет устройств поставщика:	8-VSON (3.3x3.3)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015