NVMFD5C650NLT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFD5C650NLT1G

NVMFD5C650NLT1G

Увеличить

Только для справки

номер части	NVMFD5C650NLT1G
LIXINC Part #	NVMFD5C650NLT1G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NVMFD5C650NLT1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	May 21 - May 25 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NVMFD5C650NLT1G Технические характеристики

номер части:	NVMFD5C650NLT1G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Standard
напряжение сток-исток (vdss):	60V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	21A (Ta), 111A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 98µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2546pF @ 25V
мощность - макс.:	3.5W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN
пакет устройств поставщика:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015