SIRB40DP-T1-GE3

SIRB40DP-T1-GE3
Увеличить

Только для справки

номер части SIRB40DP-T1-GE3
LIXINC Part # SIRB40DP-T1-GE3
Производитель Vishay / Siliconix
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SIRB40DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIRB40DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:SIRB40DP-T1-GE3
Бренд:Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:Vishay / Siliconix
ряд:TrenchFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:Standard
напряжение сток-исток (vdss):40V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:40A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:3.25mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:45nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4290pF @ 20V
мощность - макс.:46.2W
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
упаковка / чехол:PowerPAK® SO-8 Dual
пакет устройств поставщика:PowerPAK® SO-8 Dual

Продукты, которые могут вас заинтересовать

6LN04CH-TL-E 6LN04CH-TL-E N-CHANNEL SILICON MOSFET 15925

Подробнее о заказе

FDC6306P FDC6306P MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 9276

Подробнее о заказе

IPG20N10S4L35ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1 MOSFET 2N-CH 8TDSON 15336

Подробнее о заказе

SSM6N62TU,LF SSM6N62TU,LF SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS 6291

Подробнее о заказе

SIA910EDJ-T1-GE3 SIA910EDJ-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6 23446

Подробнее о заказе

NVLJD4007NZTBG NVLJD4007NZTBG MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6 33924

Подробнее о заказе

SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC 10609

Подробнее о заказе

NTHD5903T1 NTHD5903T1 P-CHANNEL MOSFET 1792

Подробнее о заказе

NVMFD5C478NWFT1G NVMFD5C478NWFT1G 40V 17 MOHM T8 S08FL DUAL 840

Подробнее о заказе

NVMFD5485NLWFT1G NVMFD5485NLWFT1G POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR 2403

Подробнее о заказе

HP8K24TB HP8K24TB HP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T 4713

Подробнее о заказе

EFC6612R-TF EFC6612R-TF N-CHANNEL, MOSFET 2020886

Подробнее о заказе

EM6K7T2R EM6K7T2R MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6 66322

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 14616 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.47000$1.47
3000$0.68759$2062.77
6000$0.65531$3931.86
15000$0.63224$9483.6

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top