Только для справки
| номер части | NTMFD4C88NT1G |
| LIXINC Part # | NTMFD4C88NT1G |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы |
| Описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | NTMFD4C88NT1G След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 22 - Jan 26 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | NTMFD4C88NT1G |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | - |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Фет-функция: | Standard |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 11.7A, 14.2A |
| rds on (max) @ id, vgs: | 5.4mOhm @ 10A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.2V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 22.2nC @ 10V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1252pF @ 15V |
| мощность - макс.: | 1.1W |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN |
| пакет устройств поставщика: | 8-DFN (5x6) |
| NTMD6N04R2G | N-CHANNEL POWER MOSFET | 35809 Подробнее о заказе |
|
| SIZF906BDT-T1-GE3 | DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET | 835 Подробнее о заказе |
|
| EM6K6T2R | MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 | 5893 Подробнее о заказе |
|
| FDG6320C | MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88 | 4774 Подробнее о заказе |
|
| SIZ988DT-T1-GE3 | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR | 1350 Подробнее о заказе |
|
| SQ1912EH-T1_GE3 | MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6 | 2090 Подробнее о заказе |
|
| FDY4001CZ | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | 120728 Подробнее о заказе |
|
| ALD310702PCL | MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP | 948 Подробнее о заказе |
|
| SI7949DP-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 | 4003 Подробнее о заказе |
|
| QS8J12TCR | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 | 825 Подробнее о заказе |
|
| DMG1023UVQ-7 | MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 | 69951 Подробнее о заказе |
|
| MRF8S9170NR3,528 | RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N | 978 Подробнее о заказе |
|
| IRLHS6276TRPBF | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN | 7319 Подробнее о заказе |
| В наличии | 18470 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.74000 | $1.74 |
| 1500 | $1.74000 | $2610 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.