2SA1162S-GR,LF(D | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1162S-GR,LF(D

2SA1162S-GR,LF(D

Увеличить

Только для справки

номер части	2SA1162S-GR,LF(D
LIXINC Part #	2SA1162S-GR,LF(D
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Описание	TRANSISTOR PNP 50V 150MA S-MINI
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	2SA1162S-GR,LF(D След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

2SA1162S-GR,LF(D Технические характеристики

номер части:	2SA1162S-GR,LF(D
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	PNP
ток - коллектор (ic) (макс.):	150 mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	50 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	300mV @ 10mA, 100mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	100nA (ICBO)
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	70 @ 2mA, 6V
мощность - макс.:	150 mW
частота - переход:	80MHz
Рабочая Температура:	125°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
пакет устройств поставщика:	S-Mini

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015