2SA965-O,F(J | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA965-O,F(J

2SA965-O,F(J

Увеличить

Только для справки

номер части	2SA965-O,F(J
LIXINC Part #	2SA965-O,F(J
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Описание	TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	2SA965-O,F(J След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

2SA965-O,F(J Технические характеристики

номер части:	2SA965-O,F(J
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	PNP
ток - коллектор (ic) (макс.):	800 mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	120 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	1V @ 50mA, 500mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	100nA (ICBO)
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	80 @ 100mA, 5V
мощность - макс.:	900 mW
частота - переход:	120MHz
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
пакет устройств поставщика:	LSTM

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015