BC879,112 | NXP Semiconductors BC879,112 | BC879,112 Inventory, Best Pricing

BC879,112

Увеличить

Только для справки

номер части	BC879,112
LIXINC Part #	BC879,112
Производитель	NXP Semiconductors
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Описание	TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BC879,112 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BC879,112 Технические характеристики

номер части:	BC879,112
Бренд:	NXP Semiconductors
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Производитель:	NXP Semiconductors
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	NPN - Darlington
ток - коллектор (ic) (макс.):	1 A
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	80 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	1.8V @ 1mA, 1A
ток - отсечка коллектора (макс.):	50nA
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	2000 @ 500mA, 10V
мощность - макс.:	830 mW
частота - переход:	200MHz
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
пакет устройств поставщика:	TO-92-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015