BDP953E6327HTSA1 | IR (Infineon Technologies) BDP953E6327HTSA1 | BDP953E6327HTSA1 Inventory, Best Pricing

BDP953E6327HTSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BDP953E6327HTSA1
LIXINC Part #	BDP953E6327HTSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Описание	TRANS NPN 100V 3A SOT-223
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BDP953E6327HTSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BDP953E6327HTSA1 Технические характеристики

номер части:	BDP953E6327HTSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	NPN
ток - коллектор (ic) (макс.):	3 A
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	100 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	500mV @ 200mA, 2A
ток - отсечка коллектора (макс.):	100nA (ICBO)
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	100 @ 500mA, 1V
мощность - макс.:	5 W
частота - переход:	100MHz
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-261-4, TO-261AA
пакет устройств поставщика:	PG-SOT223-4

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015