2SA1312GRTE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1312GRTE85LF

2SA1312GRTE85LF

Увеличить

Только для справки

номер части	2SA1312GRTE85LF
LIXINC Part #	2SA1312GRTE85LF
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Описание	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	2SA1312GRTE85LF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

2SA1312GRTE85LF Технические характеристики

номер части:	2SA1312GRTE85LF
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	PNP
ток - коллектор (ic) (макс.):	100 mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	120 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	100nA (ICBO)
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	200 @ 2mA, 6V
мощность - макс.:	150 mW
частота - переход:	100MHz
Рабочая Температура:	125°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
пакет устройств поставщика:	S-Mini

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.06360	$0.0636
3000	$0.06360	$190.8

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015