2SC5876U3HZGT106Q | ROHM Semiconductor 2SC5876U3HZGT106Q | 2SC5876U3HZGT106Q Inventory, Best Pricing

2SC5876U3HZGT106Q

Увеличить

Только для справки

номер части	2SC5876U3HZGT106Q
LIXINC Part #	2SC5876U3HZGT106Q
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Описание	2SC5876U3HZG IS THE HIGH SPEED S
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	2SC5876U3HZGT106Q След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

2SC5876U3HZGT106Q Технические характеристики

номер части:	2SC5876U3HZGT106Q
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	NPN
ток - коллектор (ic) (макс.):	500 mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	60 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	300mV @ 10mA, 100mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	1µA (ICBO)
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	120 @ 500mA, 2V
мощность - макс.:	200 mW
частота - переход:	300MHz
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SC-70, SOT-323
пакет устройств поставщика:	UMT3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015