BSM200GA170DN2SE325HOSA1 | Rochester Electronics BSM200GA170DN2SE325HOSA1 | BSM200GA170DN2SE325HOSA1 Inventory, Best Pricing

BSM200GA170DN2SE325HOSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSM200GA170DN2SE325HOSA1
LIXINC Part #	BSM200GA170DN2SE325HOSA1
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Описание	IGBT MODULE
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSM200GA170DN2SE325HOSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSM200GA170DN2SE325HOSA1 Технические характеристики

номер части:	BSM200GA170DN2SE325HOSA1
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	*
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип транзистора:	-
ток - коллектор (ic) (макс.):	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	-
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	-
ток - отсечка коллектора (макс.):	-
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	-
мощность - макс.:	-
частота - переход:	-
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	-
упаковка / чехол:	-
пакет устройств поставщика:	-

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$53.34000	$53.34

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015