DTC113ZUAT106 | ROHM Semiconductor DTC113ZUAT106 | DTC113ZUAT106 Inventory, Best Pricing

DTC113ZUAT106

Увеличить

Только для справки

номер части	DTC113ZUAT106
LIXINC Part #	DTC113ZUAT106
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одиночные, предварительно смещенные
Описание	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	DTC113ZUAT106 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

DTC113ZUAT106 Технические характеристики

номер части:	DTC113ZUAT106
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одиночные, предварительно смещенные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Not For New Designs
тип транзистора:	NPN - Pre-Biased
ток - коллектор (ic) (макс.):	100 mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	50 V
резистор - база (r1):	1 kOhms
резистор - эмиттерная база (r2):	10 kOhms
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	33 @ 5mA, 5V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 10mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	500nA
частота - переход:	250 MHz
мощность - макс.:	200 mW
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SC-70, SOT-323
пакет устройств поставщика:	UMT3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015