HSG1002VE-TL-E | Rochester Electronics HSG1002VE-TL-E | HSG1002VE-TL-E Inventory, Best Pricing

HSG1002VE-TL-E

Увеличить

Только для справки

номер части	HSG1002VE-TL-E
LIXINC Part #	HSG1002VE-TL-E
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Описание	RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	HSG1002VE-TL-E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

HSG1002VE-TL-E Технические характеристики

номер части:	HSG1002VE-TL-E
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип транзистора:	NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	3.5V
частота - переход:	38GHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):	0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
прирост:	8dB ~ 19.5dB
мощность - макс.:	200mW
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	100 @ 5mA, 2V
ток - коллектор (ic) (макс.):	35mA
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	4-SMD, Gull Wing
пакет устройств поставщика:	4-MFPAK

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.30000	$0.3

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015