BFP182WE6327HTSA1 | IR (Infineon Technologies) BFP182WE6327HTSA1 | BFP182WE6327HTSA1 Inventory, Best Pricing

BFP182WE6327HTSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BFP182WE6327HTSA1
LIXINC Part #	BFP182WE6327HTSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Описание	RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BFP182WE6327HTSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BFP182WE6327HTSA1 Технические характеристики

номер части:	BFP182WE6327HTSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	12V
частота - переход:	8GHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):	0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
прирост:	22dB
мощность - макс.:	250mW
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	70 @ 10mA, 8V
ток - коллектор (ic) (макс.):	35mA
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SC-82A, SOT-343
пакет устройств поставщика:	PG-SOT343-4

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015