2SC5551AE-TD-E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor 2SC5551AE-TD-E

2SC5551AE-TD-E

Увеличить

Только для справки

номер части	2SC5551AE-TD-E
LIXINC Part #	2SC5551AE-TD-E
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Описание	RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	2SC5551AE-TD-E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

2SC5551AE-TD-E Технические характеристики

номер части:	2SC5551AE-TD-E
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	30V
частота - переход:	3.5GHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):	-
прирост:	-
мощность - макс.:	1.3W
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	90 @ 50mA, 5V
ток - коллектор (ic) (макс.):	300mA
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-243AA
пакет устройств поставщика:	PCP

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015