BYV30JT-600PQ | WeEn Semiconductors Co., Ltd BYV30JT-600PQ | BYV30JT-600PQ Inventory, Best Pricing

BYV30JT-600PQ

Увеличить

Только для справки

номер части	BYV30JT-600PQ
LIXINC Part #	BYV30JT-600PQ
Производитель	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Категория	дискретный полупроводник › диоды - выпрямители - одиночные
Описание	DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BYV30JT-600PQ След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BYV30JT-600PQ Технические характеристики

номер части:	BYV30JT-600PQ
Бренд:	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	диоды - выпрямители - одиночные
Производитель:	WeEn Semiconductors Co., Ltd
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип диода:	Standard
напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):	600 V
ток - средний выпрямленный (io):	30A
напряжение - прямое (vf) (max) @ если:	1.8 V @ 30 A
скорость:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
время обратного восстановления (trr):	65 ns
ток - обратная утечка @ vr:	10 µA @ 600 V
емкость при vr, ф:	-
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-3P-3, SC-65-3
пакет устройств поставщика:	TO-3P
рабочая температура - соединение:	175°C (Max)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015