EGF1B-1HE3_A/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division EGF1B-1HE3_A/I

EGF1B-1HE3_A/I

Увеличить

Только для справки

номер части	EGF1B-1HE3_A/I
LIXINC Part #	EGF1B-1HE3_A/I
Производитель	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Категория	дискретный полупроводник › диоды - выпрямители - одиночные
Описание	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	EGF1B-1HE3_A/I След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

EGF1B-1HE3_A/I Технические характеристики

номер части:	EGF1B-1HE3_A/I
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	диоды - выпрямители - одиночные
Производитель:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ряд:	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип диода:	Standard
напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):	100 V
ток - средний выпрямленный (io):	1A
напряжение - прямое (vf) (max) @ если:	1 V @ 1 A
скорость:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
время обратного восстановления (trr):	50 ns
ток - обратная утечка @ vr:	5 µA @ 100 V
емкость при vr, ф:	15pF @ 4V, 1MHz
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	DO-214BA
пакет устройств поставщика:	DO-214BA (GF1)
рабочая температура - соединение:	-65°C ~ 175°C

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015