1N8030-GA | GeneSiC Semiconductor 1N8030-GA | 1N8030-GA Inventory, Best Pricing

1N8030-GA

Увеличить

Только для справки

номер части	1N8030-GA
LIXINC Part #	1N8030-GA
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › диоды - выпрямители - одиночные
Описание	DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	1N8030-GA След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

1N8030-GA Технические характеристики

номер части:	1N8030-GA
Бренд:	GeneSiC Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	диоды - выпрямители - одиночные
Производитель:	GeneSiC Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип диода:	Silicon Carbide Schottky
напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):	650 V
ток - средний выпрямленный (io):	750mA
напряжение - прямое (vf) (max) @ если:	1.39 V @ 750 mA
скорость:	No Recovery Time > 500mA (Io)
время обратного восстановления (trr):	0 ns
ток - обратная утечка @ vr:	5 µA @ 650 V
емкость при vr, ф:	76pF @ 1V, 1MHz
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-257-3
пакет устройств поставщика:	TO-257
рабочая температура - соединение:	-55°C ~ 250°C

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015