FII30-12E | Wickmann / Littelfuse FII30-12E | FII30-12E Inventory, Best Pricing

FII30-12E

Увеличить

Только для справки

номер части	FII30-12E
LIXINC Part #	FII30-12E
Производитель	Wickmann / Littelfuse
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - массивы
Описание	IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FII30-12E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FII30-12E Технические характеристики

номер части:	FII30-12E
Бренд:	Wickmann / Littelfuse
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - массивы
Производитель:	Wickmann / Littelfuse
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	NPT
конфигурация:	Half Bridge
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	33 A
мощность - макс.:	150 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.9V @ 15V, 20A
ток - отсечка коллектора (макс.):	200 µA
входная емкость (cis) @ vce:	1.2 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	No
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	i4-Pac™-5
пакет устройств поставщика:	ISOPLUS i4-PAC™

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015