LN100LA-G | Roving Networks / Microchip Technology LN100LA-G

LN100LA-G

Увеличить

Только для справки

номер части	LN100LA-G
LIXINC Part #	LN100LA-G
Производитель	Roving Networks / Microchip Technology
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 1200V
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	LN100LA-G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

LN100LA-G Технические характеристики

номер части:	LN100LA-G
Бренд:	Roving Networks / Microchip Technology
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Roving Networks / Microchip Technology
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Cascoded)
Фет-функция:	Standard
напряжение сток-исток (vdss):	1200V (1.2kV)
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	-
rds on (max) @ id, vgs:	3000Ohm @ 2mA, 2.8V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.6V @ 10µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	50pF @ 25V
мощность - макс.:	350mW
Рабочая Температура:	-25°C ~ 125°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	6-VFLGA
пакет устройств поставщика:	6-LFGA (3x3)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015