APTC90H12T1G | Microsemi APTC90H12T1G | APTC90H12T1G Inventory, Best Pricing

APTC90H12T1G

Увеличить

Только для справки

номер части	APTC90H12T1G
LIXINC Part #	APTC90H12T1G
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	APTC90H12T1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

APTC90H12T1G Технические характеристики

номер части:	APTC90H12T1G
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Microsemi
ряд:	CoolMOS™
упаковка:	Tray
статус детали:	Obsolete
тип фета:	4 N-Channel (H-Bridge)
Фет-функция:	Super Junction
напряжение сток-исток (vdss):	900V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	30A
rds on (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 3mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	270nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	6800pF @ 100V
мощность - макс.:	250W
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	SP1
пакет устройств поставщика:	SP1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015