19MT050XF | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 19MT050XF

19MT050XF

Увеличить

Только для справки

номер части	19MT050XF
LIXINC Part #	19MT050XF
Производитель	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	19MT050XF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

19MT050XF Технические характеристики

номер части:	19MT050XF
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ряд:	HEXFET®
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	4 N-Channel (H-Bridge)
Фет-функция:	Standard
напряжение сток-исток (vdss):	500V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	31A
rds on (max) @ id, vgs:	220mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	6V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	160nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	7210pF @ 25V
мощность - макс.:	1140W
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	16-MTP Module
пакет устройств поставщика:	16-MTP

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015