IRF6702M2DTR1PBF | IR (Infineon Technologies) IRF6702M2DTR1PBF | IRF6702M2DTR1PBF Inventory, Best Pricing

IRF6702M2DTR1PBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRF6702M2DTR1PBF
LIXINC Part #	IRF6702M2DTR1PBF
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRF6702M2DTR1PBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRF6702M2DTR1PBF Технические характеристики

номер части:	IRF6702M2DTR1PBF
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	HEXFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	30V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	15A
rds on (max) @ id, vgs:	6.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.35V @ 25µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	14nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1380pF @ 15V
мощность - макс.:	2.7W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	DirectFET™ Isometric MA
пакет устройств поставщика:	DIRECTFET™ MA

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015