IJW120R070T1FKSA1 | IR (Infineon Technologies) IJW120R070T1FKSA1 | IJW120R070T1FKSA1 Inventory, Best Pricing

IJW120R070T1FKSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IJW120R070T1FKSA1
LIXINC Part #	IJW120R070T1FKSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы
Описание	JFET N-CHAN 35A TO247-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IJW120R070T1FKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IJW120R070T1FKSA1 Технические характеристики

номер части:	IJW120R070T1FKSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
напряжение - пробой (v(br)gss):	-
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - сток (idss) @ vds (vgs=0):	3.3 µA @ 1200 V
потребляемый ток (id) - макс.:	35 A
напряжение - отсечка (vgs off) @ id:	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2000pF @ 19.5V (VGS)
сопротивление - рдс(вкл):	70 mOhms
мощность - макс.:	238 W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	PG-TO247-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015