NGTD8R65F2WP | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

Увеличить

Только для справки

номер части	NGTD8R65F2WP
LIXINC Part #	NGTD8R65F2WP
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › диоды - выпрямители - одиночные
Описание	DIODE GEN PURP 650V DIE
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NGTD8R65F2WP След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NGTD8R65F2WP Технические характеристики

номер части:	NGTD8R65F2WP
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	диоды - выпрямители - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип диода:	Standard
напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):	650 V
ток - средний выпрямленный (io):	-
напряжение - прямое (vf) (max) @ если:	2.8 V @ 30 A
скорость:	-
время обратного восстановления (trr):	-
ток - обратная утечка @ vr:	1 µA @ 650 V
емкость при vr, ф:	-
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	Die
пакет устройств поставщика:	Die
рабочая температура - соединение:	175°C (Max)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015