SIDC30D120E6X1SA2 | IR (Infineon Technologies) SIDC30D120E6X1SA2 | SIDC30D120E6X1SA2 Inventory, Best Pricing

SIDC30D120E6X1SA2

Увеличить

Только для справки

номер части	SIDC30D120E6X1SA2
LIXINC Part #	SIDC30D120E6X1SA2
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › диоды - выпрямители - одиночные
Описание	DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIDC30D120E6X1SA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIDC30D120E6X1SA2 Технические характеристики

номер части:	SIDC30D120E6X1SA2
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	диоды - выпрямители - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Discontinued at Digi-Key
тип диода:	Standard
напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):	1200 V
ток - средний выпрямленный (io):	35A (DC)
напряжение - прямое (vf) (max) @ если:	1.9 V @ 35 A
скорость:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
время обратного восстановления (trr):	-
ток - обратная утечка @ vr:	27 µA @ 1200 V
емкость при vr, ф:	-
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	Die
пакет устройств поставщика:	Sawn on foil
рабочая температура - соединение:	-55°C ~ 150°C

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015