APT80SM120B | Microsemi APT80SM120B | APT80SM120B Inventory, Best Pricing

APT80SM120B

Увеличить

Только для справки

номер части	APT80SM120B
LIXINC Part #	APT80SM120B
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	APT80SM120B След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

APT80SM120B Технические характеристики

номер части:	APT80SM120B
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Microsemi
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	20V
rds on (max) @ id, vgs:	55mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	235 nC @ 20 V
ВГС (макс.):	+25V, -10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	-
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	555W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-247
упаковка / чехол:	TO-247-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015