DDB2U50N08W1RB23BOMA2 | IR (Infineon Technologies) DDB2U50N08W1RB23BOMA2 | DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Inventory, Best Pricing

DDB2U50N08W1RB23BOMA2

Увеличить

Только для справки

номер части	DDB2U50N08W1RB23BOMA2
LIXINC Part #	DDB2U50N08W1RB23BOMA2
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	DDB2U50N08W1RB23BOMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Технические характеристики

номер части:	DDB2U50N08W1RB23BOMA2
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Last Time Buy
тип IGBT:	-
конфигурация:	2 Independent
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	-
ток - коллектор (ic) (макс.):	-
мощность - макс.:	-
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	-
ток - отсечка коллектора (макс.):	-
входная емкость (cis) @ vce:	14 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	No
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$63.38500	$63.385
24	$63.38500	$1521.24

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015