FPF2C110BI07AS2 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FPF2C110BI07AS2

FPF2C110BI07AS2

Увеличить

Только для справки

номер части	FPF2C110BI07AS2
LIXINC Part #	FPF2C110BI07AS2
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FPF2C110BI07AS2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FPF2C110BI07AS2 Технические характеристики

номер части:	FPF2C110BI07AS2
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
конфигурация:	Half Bridge
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	40 A
мощность - макс.:	300 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 40A
ток - отсечка коллектора (макс.):	250 µA
входная емкость (cis) @ vce:	-
вход:	Standard
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	30-DIP Module
пакет устройств поставщика:	F2

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$73.73357	$73.73357
70	$73.73357	$5161.3499

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015