VS-GB75DA120UP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-GB75DA120UP

VS-GB75DA120UP

Увеличить

Только для справки

номер части	VS-GB75DA120UP
LIXINC Part #	VS-GB75DA120UP
Производитель	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MODULE 1200V 658W SOT227
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	VS-GB75DA120UP След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

VS-GB75DA120UP Технические характеристики

номер части:	VS-GB75DA120UP
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	NPT
конфигурация:	Single
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	-
мощность - макс.:	658 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	3.8V @ 15V, 75A
ток - отсечка коллектора (макс.):	250 µA
входная емкость (cis) @ vce:	-
вход:	Standard
нтк термистор:	No
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	SOT-227-4, miniBLOC
пакет устройств поставщика:	SOT-227

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015