APTGT100A120D1G | Microsemi APTGT100A120D1G | APTGT100A120D1G Inventory, Best Pricing

APTGT100A120D1G

Увеличить

Только для справки

номер части	APTGT100A120D1G
LIXINC Part #	APTGT100A120D1G
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	APTGT100A120D1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

APTGT100A120D1G Технические характеристики

номер части:	APTGT100A120D1G
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	Microsemi
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	Trench Field Stop
конфигурация:	Half Bridge
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	150 A
мощность - макс.:	520 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 100A
ток - отсечка коллектора (макс.):	3 mA
входная емкость (cis) @ vce:	7 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	No
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	D1
пакет устройств поставщика:	D1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015