J112_D11Z | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor J112_D11Z

J112_D11Z

Увеличить

Только для справки

номер части	J112_D11Z
LIXINC Part #	J112_D11Z
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы
Описание	JFET N-CH 35V 625MW TO92
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	J112_D11Z След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

J112_D11Z Технические характеристики

номер части:	J112_D11Z
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
напряжение - пробой (v(br)gss):	35 V
напряжение сток-исток (vdss):	-
ток - сток (idss) @ vds (vgs=0):	5 mA @ 15 V
потребляемый ток (id) - макс.:	-
напряжение - отсечка (vgs off) @ id:	1 V @ 1 µA
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	-
сопротивление - рдс(вкл):	50 Ohms
мощность - макс.:	625 mW
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
пакет устройств поставщика:	TO-92-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015