IHW15N120R2 | IR (Infineon Technologies) IHW15N120R2 | IHW15N120R2 Inventory, Best Pricing

IHW15N120R2

Увеличить

Только для справки

номер части	IHW15N120R2
LIXINC Part #	IHW15N120R2
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V 30A 357W TO247-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IHW15N120R2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IHW15N120R2 Технические характеристики

номер части:	IHW15N120R2
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	30 A
ток - коллектор импульсный (icm):	45 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.75V @ 15V, 15A
мощность - макс.:	357 W
переключение энергии:	900µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	133 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	-/282ns
условия испытаний:	600V, 15A, 14.8Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	PG-TO247-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015