STGB20NB37LZ | STMicroelectronics STGB20NB37LZ | STGB20NB37LZ Inventory, Best Pricing

STGB20NB37LZ

Увеличить

Только для справки

номер части	STGB20NB37LZ
LIXINC Part #	STGB20NB37LZ
Производитель	STMicroelectronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 425V 40A 200W D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	STGB20NB37LZ След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

STGB20NB37LZ Технические характеристики

номер части:	STGB20NB37LZ
Бренд:	STMicroelectronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	STMicroelectronics
ряд:	PowerMESH™
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	425 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	40 A
ток - коллектор импульсный (icm):	80 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2V @ 4.5V, 20A
мощность - макс.:	200 W
переключение энергии:	11.8mJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	51 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	2.3µs/2µs
условия испытаний:	250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	D2PAK

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015