STGW30N120KD | STMicroelectronics STGW30N120KD | STGW30N120KD Inventory, Best Pricing

STGW30N120KD

Увеличить

Только для справки

номер части	STGW30N120KD
LIXINC Part #	STGW30N120KD
Производитель	STMicroelectronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V 60A 220W TO247
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	STGW30N120KD След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

STGW30N120KD Технические характеристики

номер части:	STGW30N120KD
Бренд:	STMicroelectronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	STMicroelectronics
ряд:	PowerMESH™
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	60 A
ток - коллектор импульсный (icm):	100 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	3.85V @ 15V, 20A
мощность - макс.:	220 W
переключение энергии:	2.4mJ (on), 4.3mJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	105 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	36ns/251ns
условия испытаний:	960V, 20A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	84 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 125°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	TO-247-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015