APT11GF120BRDQ1G | Microsemi APT11GF120BRDQ1G | APT11GF120BRDQ1G Inventory, Best Pricing

APT11GF120BRDQ1G

Увеличить

Только для справки

номер части	APT11GF120BRDQ1G
LIXINC Part #	APT11GF120BRDQ1G
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V 25A 156W TO247
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	APT11GF120BRDQ1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

APT11GF120BRDQ1G Технические характеристики

номер части:	APT11GF120BRDQ1G
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Microsemi
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	NPT
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	25 A
ток - коллектор импульсный (icm):	24 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	3V @ 15V, 8A
мощность - макс.:	156 W
переключение энергии:	300µJ (on), 285µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	65 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	7ns/100ns
условия испытаний:	800V, 8A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	TO-247 [B]

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015