HGTP2N120CN | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HGTP2N120CN

HGTP2N120CN

Увеличить

Только для справки

номер части	HGTP2N120CN
LIXINC Part #	HGTP2N120CN
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	HGTP2N120CN След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

HGTP2N120CN Технические характеристики

номер части:	HGTP2N120CN
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	NPT
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	13 A
ток - коллектор импульсный (icm):	20 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 2.6A
мощность - макс.:	104 W
переключение энергии:	96µJ (on), 355µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	30 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	25ns/205ns
условия испытаний:	960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-220-3
пакет устройств поставщика:	TO-220-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015