IKD10N60RAATMA2 | IR (Infineon Technologies) IKD10N60RAATMA2 | IKD10N60RAATMA2 Inventory, Best Pricing

IKD10N60RAATMA2

Увеличить

Только для справки

номер части	IKD10N60RAATMA2
LIXINC Part #	IKD10N60RAATMA2
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 600V 20A 150W TO252-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IKD10N60RAATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IKD10N60RAATMA2 Технические характеристики

номер части:	IKD10N60RAATMA2
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	TrenchStop®
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	Trench
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	20 A
ток - коллектор импульсный (icm):	30 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 10A
мощность - макс.:	150 W
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	64 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	14ns/192ns
условия испытаний:	400V, 10A, 23Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	62 ns
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015