RJH1CF6RDPQ-80#T2 | Renesas Electronics America RJH1CF6RDPQ-80#T2 | RJH1CF6RDPQ-80#T2 Inventory, Best Pricing

RJH1CF6RDPQ-80#T2

Увеличить

Только для справки

номер части	RJH1CF6RDPQ-80#T2
LIXINC Part #	RJH1CF6RDPQ-80#T2
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V 55A 227.2W TO247
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RJH1CF6RDPQ-80#T2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RJH1CF6RDPQ-80#T2 Технические характеристики

номер части:	RJH1CF6RDPQ-80#T2
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	55 A
ток - коллектор импульсный (icm):	-
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 30A
мощность - макс.:	227.2 W
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	-
td (вкл./выкл.) при 25°C:	-
условия испытаний:	-
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	TO-247-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015