FQB13N10LTM | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQB13N10LTM

FQB13N10LTM

Увеличить

Только для справки

номер части	FQB13N10LTM
LIXINC Part #	FQB13N10LTM
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FQB13N10LTM След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FQB13N10LTM Технические характеристики

номер части:	FQB13N10LTM
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	QFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	12.8A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	520 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.75W (Ta), 65W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015